Spis pracowników
- Jednostka:
Wydział Nauk Ścisłych i Technicznych, Instytut Inżynierii Materiałowej - Budynek: A0 (korytarz B3), ul. prof. Stanisława Pigonia 1
- Pokój: 303
- Nr telefonu: 17 851 8664
- e-mail: [email protected]
- ORCID: 0000-0001-8004-2486
- Konsultacje dla studentów: wtorek 8.15-9.45, wyjątkowo dyżur środa 13.05.2026, 9.30-14.00 zamiast czwartek 14.05. 10.00-12.00 i wrorek 19.05, 13.15-14.45.
Informacje
Badania naukowe:
- Aplikacyjne badania warstw HgCdTe o grubościach do kilkunastu mikrometrów, do budowy detektorów w zakresie MWIR
- Modyfikowanie parametrów elektrycznych i optycznych krzemowych krystalicznych modułów fotowoltaicznych poprzez zastosowanie układu kompozytu profilowanego polietylenu i nieprofilowanego polietylenu zamykającego we wgłębieniach profilowań mikrosoczewki powietrzne modyfikujące wzmocnienie prądowego i efektywność energetyczną modułu
Research:
- Application tests of materials based HgCdTe (layers up to several micrometers thick) for the construction of MWIR detectors
- Modifying the electrical and optical parameters of silicon crystalline photovoltaic modules by using a composite system of profiled polyethylene and non-profiled polyethylene closing air microlenses in the cavities of the profiles, modifying the current gain and energy efficiency of the module
Publikacje
- Polyethylene Protective Coating with Anti-Reflective Properties for Silicon Photovoltaic Cells. - Materials, 2023, Vol. 16, iss. 11
- Ion Milling Method for Revealing the HgCdTe MBE-grown Structure W: 2021 Selected Issues of Electrical Engineering and Electronics (WZEE). Piscataway, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE): 2021
- Modyfikowanie właściwości antyrefleksyjnych polietylenowych pokryć ochronnych krzemowych ogniw PV W: II Krajowa Konferencja Nauki i Przemysłu "Fotowoltaika 2025", Rytro, 31 maja - 3 czerwca 2021 roku : materiały konferencyjne / redakcja Kazimierz Drabczyk, Grażyna Kulesza-Matlak. Kraków, Instytut Metalurgii I Inżynierii Materiałowej im. Aleksandra Krupkowskiego Polskiej Akademii Nauk: 2021, S. 57-64
- [współaut.] Mynbaev K, Kaczmarzyk M Light trapping by chemically micro-textured glass for crystalline silicon solar cells. - Opto-Electronics Review, 2018, vol. 26, iss. 4, p. 307-311
- [współaut.] Maciejko R QuickSun 830A module solar simulator. Study of mini PV modules W: 7th Conference SOLINA Sustainable Development : Architecture - Building Construction - Environmental Engineering and Protection Innovative Energy-Efficient Technologies - Utilization of Renewable Energy Sources, SOLINA 2018; Polanczyk, Poland, 19 June 2018 through 23 June 2018 / (Eds.) L. Lichołai, B. Dębska, P. Miąsik, J. Szyszka, J. Krasoń, A. Szalacha. Red Hook, Curran Associates, Inc.: 2018, S. 688-695
- [współaut.] Izhnin I, Mynbaev K, Voitsekhovskii A [et al.] Ion etching of HgCdTe : Properties, patterns and use as a method for defect studies. - Opto-Electronics Review, 2017, vol. 25, nr 2, s. 148-170
- [współaut.] Marchewka M, Płoch D, Sheregii E International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) / edited by Małgorzata Pociask-Biały, Michał Marchewka, Dariusz Płoch, Eugen Sheregii. Red Hook, Curran Associates, Inc.: 2017, 90 s.
- [współaut.] Izhnin I, Voitsekhovskii A, Nesmelov S [et al.] Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe W: International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) / edited by Małgorzata Pociask-Biały, Michał Marchewka, Dariusz Płoch, Eugen Sheregii. Red Hook, Curran Associates, Inc.: 2017, S. 20-23
- [współaut.] Kalwas K Transmittance of selected nanostructurized solar glasses designated via relative change in electrical parameters of silicon solar cells W: International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) / edited by Małgorzata Pociask-Biały, Michał Marchewka, Dariusz Płoch, Eugen Sheregii. Red Hook, Curran Associates, Inc.: 2017, S. 64-68
- Evolution of MBE HgCdTe defect structure studied with ion milling method W: International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) / edited by Małgorzata Pociask-Biały, Michał Marchewka, Dariusz Płoch, Eugen Sheregii. Red Hook, Curran Associates, Inc.: 2017, S. 17-19
- [współaut.] Izhnin I, Mynbaev K, Voitsekhovsky A [et al.] Background donor concentration in HgCdTe. - Opto-Electronics Review, 2015, vol. 23, nr 3, s. 200-207
- [współaut.] Izhnin I, Dvoretsky S, Mynbaev K [et al.] Defect study in molecular beam epitaxy-grown HgCdTe films with activated and unactivated arsenic. - Journal of Applied Physics, 2014, Vol. 115, iss. 16, Article number 163501
- [współaut.] Izhnin I, Izhnin A, Savytskyy H [et al.] Defect structure of HgCdTe films grown by molecular beam epitaxy on Si substrates. - Semiconductor Science and Technology, 2012, Vol. 27, iss. 3, Article Number: 035001
- [współaut.] Izhnin I, Izhnin A, Fitsych E [et al.] Defect structure of Cd1-xTe films grown by liquid-phase epitaxy, studied by means of low-energy ion treatment. - Semiconductors, 2011, Vol. 45, iss. 9, s. 1124-1128
- [współaut.] Berchenko M, Izhnin I, Yudenkov V [et al.] Comparison of electrical properties of HgCdTe subsurface layers formed by low energy ion beam milling or anodic oxidation. - Surface and Interface Analysis, 2010, Vol. 42, iss. 6-7, p. 902-905
- [współaut.] Cypryś P, Płoch D, Woźny M [et al.] Układ pomiarowy dla monitoringu pracy kolektora słonecznego oraz dane monitoringu w warunkach Południowowschodniej Polski. - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania, 2010, nr 8, s. 172-177
- [współaut.] Izhnin I, Denisov I, Smirnova N [et al.] Ion milling-assisted study of defect structure of HgCdTe films grown by liquid phase epitaxy. - Opto-Electronics Review, 2010, vol. 18, no. 3, p. 328-331
- [współaut.] Izhnin I, Mynbaev K, Izhnin A [et al.] Blue-shift in photoluminescence of ion-milled HgCdTe films and relaxation of defects induced by the milling. - Thin Solid Films, 2010, Vol. 518, iss. 14, p. 3879-3881
- [współaut.] Izhnin I, Sidorov Y, Varavin V [et al.] Ion milling-induced conductivity-type conversion in p-type HgCdTe MBE-grown films with graded-gap surface layers. - Semiconductor Science and Technology, 2010, Vol. 25, nr 6, 065012
- [współaut.] Izhnin L, Dvoretsky S, Mynbaev K [et al.] Arsenic incorporation in MBE-grown HgCdTe studied with the use of ion milling. - Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2010, Vol. 7, iss. 6, p. 1618-1620
- The study of HgCdTe MBE-grown structure with ion milling. - Opto-Electronics Review, 2010, vol. 18, no. 3, p. 338-341
- [współaut.] Izhnin I, Izhnin A, Dvoretsky S [et al.] Donor doping of HgCdTe for LWIR and MWIR structures fabricated with ion milling. - Semiconductor Science and Technology, 2009, Vol. 24, nr 2, 025031
- [współaut.] Izhnin I, Mynbaev K, Mudryy R [et al.] Long-term room-temperature relaxation of the defects induced in (Hg,Cd)Te by low-energy ions. - Physica B. Condensed Matter, 2009, vol. 404, iss. 23-24, s. 5025-5027
- [współaut.] Polit J, Sheregii E, Cebulski J [et al.] Influence of hydrogen on hydrogenated cadmium telluride optical spectra. - Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2009, Vol. 6, iss. 9, s. 2016-2019
- VI edycja regionalnego konkursu prac uczniowskich z fizyki - relacja z uroczystości zamknięcia konkursu. - Gazeta Uniwersytecka, 2009, nr 3, s. 43-44
- [współaut.] Izhnin I, Dvoretsky S, Mikhailov N [et al.] Electrical properties of n -HgCdTe heteroepitaxial layers modified by ion etching. - Semiconductors, 2008, vol. 42, nr 12, s. 1413-1415
- [współaut.] Izhnin I, Dvoretsky S, Mikhailov N [et al.] Ion-beam-induced modification of the electrical properties of vacancy-doped mercury cadmium telluride. - Technical Physics Letters, 2008, vol. 34, nr 11, s. 981-984
- [współaut.] Izhnin I, Dvoretsky S, Mikhailov N [et al.] Ion-milling-assisted study of defect structure of acceptor-doped HgCdTe heterostructures grown by molecular beam epitaxy. - Semiconductor Science and Technology, 2008, vol. 23, nr 9, s. 095001
- [współaut.] Izhnin I, Ilyina E, Dvoretsky S [et al.] Study of the defect structure of Hg1-xCdxTe films by Ion Milling. - Acta Physica Polonica A, 2008, Vol. 114, nr 5, s. 1293-1301
- [współaut.] Berchenko M, Izhnin I, Yudenkov V Comparison of the p-to-n conversion caused by ion beam milling or anodic oxidation/annealing in Hg1-xCdxTe and Pb1-xSnxTe. - Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2007, Vol. 4, nr 4, s. 1438-1443
- [współaut.] Bogobayashchiy V, Izhnin I, Mynbaev K [et al.] Conduction type conversion in ion etching of Au- and Ag-doped narrow-gap HgCdTe single crystal. - Semiconductors, 2007, vol. 41, iss. 7, s. 804-809
- [współaut.] Izhnin I, Dvoretsky S, Mikhailov N [et al.] Conductivity type conversion in ion-milled p-HgCdTe:As heterostructures grown by molecular beam epitaxy. - Applied Physics Letters, 2007, Vol. 91, Iss. 13, art. no. 132106
- [współaut.] Izhnin I, Bogoboyashchyy V, Vlasov A [et al.] Relaxation of electrical properties of epitaxial CdxHg 1-xTe : As(Sb) layers converted into n-type by ion milling W: 19th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices : [included an Exhibition of Russian Manufactures' Optoelectronic Devices] ; 23 - 26 May 2006, Moscow, Russia / by Anatoly M Filachev. Bellingham, SPIE: 2007, Art. nr 663612
- [współaut.] Bogoboyashchyy V, Izhnin I, Mynbaev K [et al.] Relaxation of electrical properties of n-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptors. - Semiconductor Science and Technology, (2006), Vol. 21, nr 8, s. 1144-1149
- [współaut.] Izhnin I, Korbytyak D, Savchyn V Luminescence investigation of ion milled CdTe. - Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, (2006), Vol. 3, nr 4, s. 1063-1065
- [współaut.] Pukowska B, Kisiel A, Sheregii E [et al.] HgTe segregation process in HgCdTe studied by E1 reflectance peak positions. - Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, (2006), Vol. 3, nr 4, s. 758-762
- [współaut.] Berchenko M, Bogobayashchiy V, Izhnin I [et al.] Influence of the low energy ion beam milling on the electrical properties of InSb. - Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2005, vol. 2, iss. 4, s. 1418-1422
- [współaut.] Polit J, Sheregii E, Cebulski J [et al.] Manifestation of defects in phonon spectra of binary zinc-blende compounds. - The European Physical Journal-Applied Physics, 2004, vol. 27, iss. 1-3, p. 321-324
- [współaut.] Pukowska B, Kisiel A, Sheregii E [et al.] Influence of long-term defect diffusion on HgCdTe electronic structure. - The European Physical Journal Applied Physics, 2004, vol. 27, iss. 1-3, p. 403-406
- [współaut.] Sheregii E, Kuźma M Influence of laser ammealing on physical properties of HgCdTe. - Archiwum Odlewnictwa, 2003, R. 3, nr 7, s. 199-208
- [współaut.] Kąkol T, Sheregii E, Pociask M [et al.] Enhancement of the photovoltaic efficiency of Ge0,2Si0,8/Si photodiodes W: Photovoltaic and photoactive materials : properties technology and applications / ed. Joseph Michael Marshall, Doriana Dimova-Malinowska. Dordrecht, Kluwer Academic: 2002, S. 281-284