dr inż. Dawid Jarosz
- Jednostka:
Wydział Nauk Ścisłych i Technicznych, Instytut Inżynierii Materiałowej - Budynek: A0 (korytarz B3), ul. prof. Stanisława Pigonia 1
- Pokój: 301
- Nr telefonu: 178518662
- e-mail: [email protected]
- ORCID: 0000-0001-8162-8016
- Konsultacje dla studentów: Środa: 9:00 - 13:00
Informacje
Zatrudniony na stanowisku adiunkta w Instytucie Inżynierii Materiałowej na Uniwersytecie Rzeszowskim.
- Pełni rolę technologa wzrostu MBE na reaktorze do epitaksji z wiązek molekularnych (MBE) III-V;
- Pełni rolę opiekuna naukowego w studenckim kole naukowym "NanoTechnik";
- Prowadzi zajęcia dydaktyczne.
Zainteresowania koncentrują się na wytwarzaniu i charakteryzacji materiałów funkcyjnych do zastosowań w detekcji i emisji podczerwieni.
Publikacje
- [współaut.] Juś A, Pasternak M, Śliż P [et al.] Impact of secondary selection parameters on the morphology and crystalline quality of GaSb layers deposited using MBE technology. - Materials Science and Engineering B - Advanced Functional Solid-State Materials, 2026, Vol. 325
- [współaut.] Śliż P, Pasternak M, Marchewka M The Formation of an Interface and Its Energy Levels Inside a Band Gap in InAs/GaSb/AlSb/GaSb M-Structures. - Materials, 2025, Vol. 18, iss. 5
- [współaut.] Bobko E, Stachowicz M, Przeździecka E [et al.] Evolution of the surface morphology of GaSb epitaxial layers deposited by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (100) substrates. - Surface Science, 2025, Vol. 751
- [współaut.] Przeździecka E, Perlikowski I, Chusnutdinow S [et al.] MBE-obtained n-CdO : Eu/p-Si heterojunctions-electron beam-induced profiling, electrical and structural properties. - Journal of Physics D: Applied Physics, 2025, Vol. 58, iss. 47
- [współaut.] Bobko E, Trzyna-Sowa M, Przeździecka E [et al.] Optimization of MBE-grown GaSb bufer on GaAs substrates for infrared detectors. - Opto-Electronics Review, 2024, Vol. 32, iss. 4
- [współaut.] Marchewka M, Pasternak M, Juś A [et al.] Interfaces-engineered M-structure for infrared detectors. - Opto-Electronics Review, 2024, Vol. 32, iss. 2, p. 1-9
- [współaut.] Stachowicz M, Płoch D, Marchewka M [et al.] Sposób wytwarzania warstw GaSb na podłożach GaAs / Uniwersytet Rzeszowski; wynalazca Jarosz Dawid, Stachowicz Marcin, Płoch Dariusz, Marchewka Michał, Krzemiński Piotr, Juś Anna, Ruszała Marta, Trzyna-Sowa Małgorzata, Bobko Ewa, Grendysa Jakub, Rogalska Iwona, Maś Kinga, Śliż Paweł, Wojnarowska-Nowak Renata. - Biuletyn Urzędu Patentowego, 2024, nr 34, s. 21
- [współaut.] Adhikari A, Wierzbicka A, Adamus Z [et al.] Correlated carrier transport and optical phenomena in CdO layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy technique. - Thin Solid Films, 2023, Vol. 780
- [współaut.] Marchewka M, Pasternak M, Juś A [et al.] Strain-Balanced InAs/AlSb Type-II Superlattice Structures Growth on GaSb Substrate by Molecular Beam Epitaxy. - Materials, 2023, Vol. 16, iss. 5
- [współaut.] Stachowicz M, Krzemiński P, Pasternak M [et al.] Initial Optimization of the Growth Conditions of GaAs Homo-Epitaxial Layers after Cleaning and Restarting the Molecular Beam Epitaxy Reactor. - ACS Omega, 2023, Vol. 8, iss. 36
- [współaut.] Ciura &, Śliż P, Krzemiński P [et al.] Evaluation of Metal-Semiconductor Contact Quality : correlation of 1/f Noise and Nonlinearity. - IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, Vol. 69, iss. 12, p. 6999-7004
- [współaut.] Ciura &, Śliż P, Krzemiński P [et al.] Low Frequency Noise Properties of InAs/GaSb Superlattice. - Acta Physica Polonica A, 2022, Vol. 142, iss. 5, s. 621-624
- [współaut.] Przeździecka E, Paradowska K, Jakieła R [et al.] Polar and Non-Polar Zn1-xMgxO:Sb Grown by MBE. - Materials, 2022, Vol. 15, iss. 23
- [współaut.] Andrzejewski J, Pietrzyk M, Kozanecki A Optical Measurements and Theoretical Modelling of Excitons in Double ZnO/ZnMgO Quantum Wells in an Internal Electric Field. - Materials, 2021, Vol. 14, iss. 23